TSM6502CR RLG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PDFN56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.4 A, 4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V, - 4.5 V

Qg - Carga de puerta:

20.8 nC, 9.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Otoño:

18 ns, 44 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns, 28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns, 44 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.4 ns, 4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM