ALD910018SALI

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Dispositivos lineales avanzados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

10.6 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14 GOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.78 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10.6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Dispositivos lineales avanzados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

ALD91001, ALD91, ALD9, ALD