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SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7110DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7110DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7110DN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET / PowerPAK
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
13.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
5.3 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
36 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7110DN-T, SI7110D, SI7110, SI711, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***nell
N CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL
***
N-CH 20-V (D-S) FAST SWITCHING
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:21100mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7110DN-T1-GE3
DISTI # SI7110DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.0395
SI7110DN-T1-GE3
DISTI # SI7110DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7110DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.8519
  • 6000:$0.8269
  • 12000:$0.7929
  • 18000:$0.7709
  • 30000:$0.7499
SI7110DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7110DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
RoHS: Compliant		2990
  • 1:$1.8200
  • 10:$1.5200
  • 100:$1.1800
  • 500:$1.0300
  • 1000:$0.8500
  • 3000:$0.7910
  • 6000:$0.7620
  • 9000:$0.7320
SI7110DN-T1-GE3
DISTI # 2478963		Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL
RoHS: Compliant		0
  • 3000:£0.9230
  • 6000:£0.9000
SI7110DN-T1-GE3
DISTI # 2478963		Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL REEL
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.6500
Imagen Parte # Descripción
SI7110DN-T1-E3

Mfr.#: SI7110DN-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7110DN-T1-E3

 MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm
SI7110DN-T1-GE3

Mfr.#: SI7110DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7110DN-T1-GE3

 MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
SI7110DN

Mfr.#: SI7110DN

OMO.#: OMO-SI7110DN-1190

 Nuevo y original
SI7110DN-T1

Mfr.#: SI7110DN-T1

OMO.#: OMO-SI7110DN-T1-1190

 Nuevo y original
SI7110DN-T1-E3

Mfr.#: SI7110DN-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7110DN-T1-E3-VISHAY

 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
SI7110DN-T1-GE3

Mfr.#: SI7110DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7110DN-T1-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Disponibilidad
Valores:
Available
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1
1,10 US$
1,10 US$
10
1,04 US$
10,43 US$
100
0,99 US$
98,82 US$
500
0,93 US$
466,65 US$
1000
0,88 US$
878,40 US$
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