OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

TGF2934

TGF2934
Mfr. #:
TGF2934
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2934 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2934 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
20 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
50 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
145 V
Id - Corriente de drenaje continua:
2.5 A
Potencia de salida:
70 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
64 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
NI-360
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
3.7 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Kit de desarrollo:
QPD1015PCB401
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
25
Subcategoría:
Transistores
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
- 2.8 V
Tags
TGF293, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 25 GHz, 14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X.10, DIE
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Imagen Parte # Descripción
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 40V DIE
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGF2934 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
51,33 US$
2 566,50 US$
100
45,35 US$
4 535,00 US$
250
42,18 US$
10 545,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Top