FQS4900TF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V, 300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms, 15.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

FQS4900

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

1.7 S, 0.6 S

Otoño:

17 ns, 47 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns, 25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.7 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.008127 oz

Tags

FQS4900, FQS49, FQS4, FQS