SIHF530-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220AB-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

160 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

88 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

15.49 mm

Longitud:

10.41 mm

Serie:

SIH

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

5.1 S

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

34 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Tags

SIHF53, SIHF5, SIHF, SIH