PSMN102-200Y,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

21.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

102 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

113 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.1 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14.2 ns

Unidad de peso:

0.003037 oz

Tags

PSMN102-2, PSMN10, PSMN1, PSMN, PSM