NVMFD5875NLT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-5x6-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

27 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC, 20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

32 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

7 S, 7 S

Otoño:

2.4 ns, 2.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.4 ns, 6.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14.5 ns, 14.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.9 ns, 4.9 ns

Unidad de peso:

0.004797 oz

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NVMFD5875, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM