NTA4001NT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-75-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

238 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTA4001N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

98 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.000089 oz

Tags

NTA4001NT1G, NTA4001NT, NTA400, NTA40, NTA4, NTA