FDZ1323NZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WLCSP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

17 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.6 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

FDZ1323NZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.001764 oz

Tags

FDZ1, FDZ