MJW21191

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

150 V

Colector- Voltaje base VCBO:

150 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente máxima del colector de CC:

8 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

40 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

21.08 mm (Max)

Longitud:

16.26 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

5.3 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

8 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

15

Pd - Disipación de energía:

125 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

MJW21191, MJW21, MJW2, MJW