IPN70R1K5CEATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

700 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.51 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

10.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

18.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.7 ns

Parte # Alias:

IPN70R1K5CE SP001458794

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

IPN70R1K5, IPN70R1, IPN70, IPN7, IPN