IXTX8N150L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PLUS-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.5 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

250 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 W

Modo de canal:

Mejora

Altura:

21.34 mm

Longitud:

16.13 mm

Serie:

IXTX8N150

Escribe:

MOSFET de potencia lineal

Ancho:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

95 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

36 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTX, IXT