CJ3139KDW-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Tecnología Comchip

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

660 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

520 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Tecnología Comchip

Transconductancia directa - Mín .:

0.8 S

Otoño:

20.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

CJ3139, CJ313, CJ31, CJ3