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TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ
Mfr. #:
TK10Q60W,S1VQ
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK10Q60W,S1VQ Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK10Q60W,S1VQ DatasheetTK10Q60W,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK10Q60W,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK10Q60W,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK10Q60W,S1VQ más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-251-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
9.7 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
327 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.7 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
20 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
80 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSIV
Altura:
6.1 mm
Longitud:
6.65 mm
Serie:
TK10Q60W
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
2.3 mm
Marca:
Toshiba
Otoño:
5.5 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
22 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
75
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
75 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
45 ns
Unidad de peso:
0.139332 oz
Tags
TK10Q, TK10, TK1
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
***
POWER MOSFET TRANSISTOR
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # V99:2348_13896084		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube75
  • 10000:$1.1016
  • 5000:$1.1360
  • 2500:$1.1787
  • 1000:$1.2541
  • 500:$1.4640
  • 100:$1.6425
  • 10:$1.9577
  • 1:$2.3184
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # TK10Q60WS1VQ-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		10In Stock
  • 1:$3.0400
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # 30559438		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube75
  • 10:$1.9539
  • 6:$2.3134
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # TK10Q60W,S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin IPAK - Rail/Tube (Alt: TK10Q60W,S1VQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 75
Container: Tube		Americas - 0
  • 75:$1.2900
  • 150:$1.2900
  • 300:$1.1900
  • 450:$1.0900
  • 750:$1.0900
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # 757-TK10Q60WS1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
RoHS: Compliant		93
  • 1:$2.7700
  • 10:$2.2300
  • 100:$1.7900
  • 500:$1.5600
  • 1000:$1.3000
  • 2500:$1.2100
  • 5000:$1.1600
TK10Q60W,S1VQ(S
DISTI # C1S751201056919		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs75
  • 60:$2.7500
  • 20:$2.8900
TK10Q60W,S1VQ
DISTI # C1S751200920389		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs
RoHS: Not Compliant		75
  • 10:$1.9539
  • 1:$2.3134
TK10Q60WS1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS: Compliant		Americas -
    TK10Q60W,S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      ST25DV04K-IER6S3

      Mfr.#: ST25DV04K-IER6S3

      OMO.#: OMO-ST25DV04K-IER6S3

      		 RFID Transponders 4-Kbit Dynamic NFC/RFID tag NFC Forum type V with I2C interface, fast transfer mode and energy harvesting
      MMBTA42LT1G

      Mfr.#: MMBTA42LT1G

      OMO.#: OMO-MMBTA42LT1G

      		 Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
      UD4KB100-BP

      Mfr.#: UD4KB100-BP

      OMO.#: OMO-UD4KB100-BP

      		 Bridge Rectifiers 4A, 1000V Bridge Rectifier
      1N4148WS

      Mfr.#: 1N4148WS

      OMO.#: OMO-1N4148WS

      		 Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
      LNK3202D-TL

      Mfr.#: LNK3202D-TL

      OMO.#: OMO-LNK3202D-TL

      		 AC/DC Converters 63 mA (MDCM) 80 mA (CCM) 700V
      PIC18F25K40T-I/SS

      Mfr.#: PIC18F25K40T-I/SS

      OMO.#: OMO-PIC18F25K40T-I-SS

      		 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB Flash, 2KB RAM, 256B EEPROM, 10-bit ADC2, 5-bit DAC, Comp, PWM, CCP, CWG, HLT, WWDT, SCAN/CRC, ZCD, PPS, EUSART, SPI/I2C, IDLE/DOZE/PMD
      MCP1804T-3302I/MB

      Mfr.#: MCP1804T-3302I/MB

      OMO.#: OMO-MCP1804T-3302I-MB

      		 LDO Voltage Regulators 150mA LDO Vin 28V Vout =3.3V
      SL03 10001

      Mfr.#: SL03 10001

      OMO.#: OMO-SL03-10001-AMETHERM

      		 Inrush Current Limiters 3mm 10ohms 1A INRSH CURR LIMITER
      ST25DV04K-IER6S3

      Mfr.#: ST25DV04K-IER6S3

      OMO.#: OMO-ST25DV04K-IER6S3-STMICROELECTRONICS

      		 IC RFID TRANSP 13.56MHZ 8SO
      MCP1804T-3302I/MB

      Mfr.#: MCP1804T-3302I/MB

      OMO.#: OMO-MCP1804T-3302I-MB-MICROCHIP-TECHNOLOGY

      		 LDO Voltage Regulators 150mA LDO Vin 28V Vout =3.3V
      Disponibilidad
      Valores:
      90
      En orden:
      2073
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de TK10Q60W,S1VQ es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      2,77 US$
      2,77 US$
      10
      2,23 US$
      22,30 US$
      100
      1,79 US$
      179,00 US$
      500
      1,56 US$
      780,00 US$
      1000
      1,30 US$
      1 300,00 US$
      2500
      1,21 US$
      3 025,00 US$
      5000
      1,16 US$
      5 800,00 US$
      10000
      1,12 US$
      11 200,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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