SSM6L12TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UF-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms, 210 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6L12TU

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

1 S, 0.65 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 16 ns

Unidad de peso:

0.000247 oz

Tags

SSM6L1, SSM6L, SSM6, SSM