SSM6P35AFU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 250 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 0.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 4.5 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

285 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6P35AFU

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

145 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

42 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

420 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Tags

SSM6P35A, SSM6P35, SSM6P3, SSM6P, SSM6, SSM