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SIA915DJ-T1-GE3

SIA915DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA915DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIA915DJ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA915DJ-T1-GE3 DatasheetSIA915DJ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA915DJ-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SIA915DJ-GE3
Unidad de peso
0.000988 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Configuración
Doble
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potencia máxima
6.5W
Tipo transistor
2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
275pF @ 15V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
87 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
9nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
6.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
- 4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
87 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tags
SIA91, SIA9, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIA915DJ-T1-GE3
DISTI # SIA915DJ-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SIA915DJ-T1-GE3
    DISTI # 70616552    		Vishay SiliconixSIA915DJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor,3.7 A,30 V,6-Pin SC-70
    RoHS: Compliant    		0
    • 300:$0.4300
    • 600:$0.3800
    • 1500:$0.3400
    • 3000:$0.3000
    SIA915DJ-T1-GE3
    DISTI # 78-SIA915DJ-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SIA915DJ-T1-GE3

      Mfr.#: SIA915DJ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIA915DJ-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
      SIA915DJ-T4-GE3

      Mfr.#: SIA915DJ-T4-GE3

      OMO.#: OMO-SIA915DJ-T4-GE3-VISHAY

      		 MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      5500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIA915DJ-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,45 US$
      0,45 US$
      10
      0,43 US$
      4,28 US$
      100
      0,40 US$
      40,50 US$
      500
      0,38 US$
      191,25 US$
      1000
      0,36 US$
      360,00 US$
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