RUM003N02T2L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VMT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RUM003N02

Tipo de transistor:

1 N-Channel MOSFET

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

RUM003N02

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

RUM003N02T2, RUM003N02T, RUM003, RUM00, RUM0, RUM