SI7611DN-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-1212-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

41 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 50 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

39 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.04 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

SI7

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

25 S

Otoño:

9 ns, 12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns, 150 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 47 ns

Parte # Alias:

SI7611DN-GE3

Tags

SI7611, SI761, SI76, SI7