NTTFS4C06NTWG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

67 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

31 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTTFS4C06N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

58 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.000600 oz

Tags

NTTFS4C0, NTTFS4C, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT