NSS12600CF8T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

1206A

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 12 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 12 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 140 mV

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.05 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.65 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

- 5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

250

Pd - Disipación de energía:

830 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

NSS12, NSS1, NSS