US6J11TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363T-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

190 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

2.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

US6J11

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

US6J11

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

US6J11T, US6J11, US6J1, US6J, US6