SI7111EDN-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-1212-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

85 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

52 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.04 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

SI7

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

64 S

Otoño:

33 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Tags

SI711, SI71, SI7