RF6C055BCTCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

15.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

7 S

Otoño:

70 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

34 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

RF6C055BC

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

RF6C, RF6