IRFS4321TRLPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

85 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

350 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

130 S

Otoño:

35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

SP001565002

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRFS4321TRLP, IRFS4321TRL, IRFS4321T, IRFS432, IRFS43, IRFS4, IRFS, IRF