PMN42XPEAH

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 5.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

46 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 1.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

17.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1310 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

12.5 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Tags

PMN42XPEA, PMN42, PMN4, PMN