DMT6018LDR-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

V-DFN3030-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, NPN

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

13.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.9 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.5 ns

Tags

DMT601, DMT60, DMT6, DMT