IXGH50N90B2D1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-247AD-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

900 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.2 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

75 A

Pd - Disipación de energía:

400 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

IXGH50N90

Embalaje:

Tubo

Corriente continua de colector Ic Max:

200 A

Altura:

21.46 mm

Longitud:

16.26 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Corriente continua del colector:

75 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

IGBT

Nombre comercial:

HiPerFAST

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXGH50, IXGH5, IXGH, IXG