STD7N65M6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

990 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

12.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Tags

STD7N65, STD7N6, STD7N, STD7, STD