SUP70101EL-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

125 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

SORBER

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

60 S

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

110 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

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SUP70, SUP7, SUP