STS25NH3LL-E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

18 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

STS25NH3LL-E

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

STS25N, STS25, STS2, STS