ECH8501-TL-H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ECH-8

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V, - 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

75 mV, - 100 mV

Corriente máxima del colector de CC:

30 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

260 MHz, 280 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ECH8501

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560 at 500 mA, 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000638 oz

Tags

ECH85, ECH8, ECH