RUF025N02TL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323T-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

39 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5 nC

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.77 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RUF025N02

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.7 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

3.6 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

RUF025N02

Unidad de peso:

0.116968 oz

Tags

RUF025N02T, RUF025, RUF02, RUF0, RUF