IPI072N10N3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.2 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.45 mm

Longitud:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Parte # Alias:

IPI072N10N3GXKSA1 IPI72N1N3GXK SP000680674

Unidad de peso:

0.073511 oz

Tags

IPI072N10N3G, IPI072, IPI07, IPI0, IPI