UF3C120150K4S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

UnidosSiC

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

18.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

330 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

25.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

166.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Serie:

UF3C

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

UnidosSiC

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Tags

UF3C1, UF3C, UF3