MRF5S19060NBR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

14 dB

Potencia de salida:

12 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-272-4

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

2.64 mm

Longitud:

23.67 mm

Frecuencia de operación:

1.93 GHz to 1.99 GHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.07 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

218.8 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Unidad de peso:

0.067412 oz

Tags

MRF5S19060N, MRF5S1906, MRF5S190, MRF5S19, MRF5S1, MRF5S, MRF5, MRF