IPB160N08S4-03

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-7

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

112 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

208 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

IPB160N08S403ATMA1 SP000989092

Tags

IPB160N08, IPB160, IPB16, IPB1, IPB