SSM3K35AMFV,L3F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VESM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

250 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

750 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

340 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

0.5 S

Otoño:

5.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

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