2N5367

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

250 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

300 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

75 at 300 mA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5367 PBFREE

Unidad de peso:

0.007266 oz

Tags

2N536, 2N53, 2N5