PTFA043002E V1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.55 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Ganar:

16 dB

Potencia de salida:

300 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-30275-4

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Doble

Altura:

4.55 mm

Longitud:

41.15 mm

Frecuencia de operación:

470 MHz to 860 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

10.16 mm

Marca:

Infineon Technologies

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

761 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Parte # Alias:

FA043002EV1XP

Tags

PTFA043002, PTFA043, PTFA04, PTFA0, PTFA, PTF