DMG9933USD-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

6.5 nC, 6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.15 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMG9933

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

22.19 ns, 22.19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.29 ns, 10.29 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

46.52 ns, 46.52 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.45 ns, 12.45 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMG993, DMG99, DMG9, DMG