FDV302P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.2 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDV302P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.135 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

FDV302P_NL

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDV302P, FDV302, FDV30, FDV3, FDV