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AS4C64M16D1A-6BIN

AS4C64M16D1A-6BIN
Mfr. #:
AS4C64M16D1A-6BIN
Fabricante:
Alliance Memory
Descripción:
DRAM 1G 64Mx16 166MHz 2.5V DDR1 IT
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
AS4C64M16D1A-6BIN Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
AS4C64M16D1A-6BIN más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Memoria de la Alianza
Categoria de producto:
DRACMA
RoHS:
Y
Escribe:
SDRAM - DDR
Ancho del bus de datos:
16 bit
Organización:
64 M x 16
Paquete / Caja:
FBGA-60
Tamaño de la memoria:
1 Gbit
Frecuencia máxima de reloj:
166 MHz
Tiempo de acceso:
0.7 ns
Voltaje de suministro - Máx:
2.7 V
Voltaje de suministro - Min:
2.3 V
Corriente de suministro - Máx .:
180 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Serie:
AS4C64M16D1A
Embalaje:
Bandeja
Marca:
Memoria de la Alianza
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
DRACMA
Cantidad de paquete de fábrica:
240
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
AS4C64M16D1A, AS4C64M16D1, AS4C64M16D, AS4C64M1, AS4C6, AS4C, AS4
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    A***o
    A***o
    UA

    Got as much as i ordered, until i checked. Packing is simple package. Delivery 22 days.Seller recommend.

    2019-04-12
    T***k
    T***k
    RU

    Although not very fast, but still satisfied

    2019-07-03
    L***i
    L***i
    IT

    Great product

    2019-04-25
    E**n
    E**n
    US

    minuteria ben suddivisa

    2019-07-09
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Imagen Parte # Descripción
AS4C64M16MD2-25BCN

Mfr.#: AS4C64M16MD2-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16MD2-25BCN

 DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 64Mx16 Mobile DDR2
AS4C64M16D3A-12BCN

Mfr.#: AS4C64M16D3A-12BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16D3A-12BCN

 DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3
AS4C64M16MD1-6BCN

Mfr.#: AS4C64M16MD1-6BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16MD1-6BCN-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 1G 1.8V 166Mhz 64M x 16 Mobile DDR
AS4C64M16D3-12BCN

Mfr.#: AS4C64M16D3-12BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16D3-12BCN-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 1G, 1.5V, 1600Mhz 64M x 16 DDR3
AS4C64M16D2A-25BCN

Mfr.#: AS4C64M16D2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C64M16D2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BINTR

Mfr.#: AS4C64M16D2A-25BINTR

OMO.#: OMO-AS4C64M16D2A-25BINTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D3B-12BCNTR

Mfr.#: AS4C64M16D3B-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C64M16D3B-12BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
AS4C64M16D3A-12BCNTR

Mfr.#: AS4C64M16D3A-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C64M16D3A-12BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
AS4C64M16D3LA-12BANTR

Mfr.#: AS4C64M16D3LA-12BANTR

OMO.#: OMO-AS4C64M16D3LA-12BANTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Automotive, AEC-Q100
AS4C64M16MD1A-5BINTR

Mfr.#: AS4C64M16MD1A-5BINTR

OMO.#: OMO-AS4C64M16MD1A-5BINTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Disponibilidad
Valores:
240
En orden:
2223
Ingrese la cantidad:
El precio actual de AS4C64M16D1A-6BIN es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
24,19 US$
24,19 US$
5
23,05 US$
115,25 US$
10
22,53 US$
225,30 US$
25
22,28 US$
557,00 US$
50
21,73 US$
1 086,50 US$
100
19,08 US$
1 908,00 US$
250
17,94 US$
4 485,00 US$
500
17,20 US$
8 600,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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