IXFZ140N25T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DE-475-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

255 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

445 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

3.18 mm

Longitud:

23.11 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

18.8 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

80 S

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

92 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

33 ns

Unidad de peso:

0.105822 oz

Tags

IXFZ, IXF