TK17E65W,S1X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

45 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

165 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.1 mm

Longitud:

10.16 mm

Serie:

TK17E65W

Ancho:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

50 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

TK17E6, TK17E, TK17, TK1