NTZD3156CT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

540 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms, 900 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

280 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de pequeña señal

Ancho:

1.2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1.46 S, 1.18 S

Otoño:

10 ns, 19.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.3 ns, 6.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns, 29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.7 ns, 9.2 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

NTZD3156, NTZD3, NTZD, NTZ