SSM3H137TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UFM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

34 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

240 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM3H137TU

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

2.2 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

800 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

320 ns

Unidad de peso:

0.000233 oz

Tags

SSM3H, SSM3, SSM