ZXMC4559DN8TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.6 A, 2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms, 125 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20.4 nC, 12.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMC4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

10.2 S, 7.2 S

Otoño:

10.6 ns, 10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.1 ns, 4.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26.2 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.5 ns, 3.5 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMC4559DN8, ZXMC4559D, ZXMC45, ZXMC4, ZXMC, ZXM