BLV10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

10

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

18 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Corriente continua del colector:

1.5 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SOT-123

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

175 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

950 MHz

Corriente máxima del colector de CC:

4 A

Pd - Disipación de energía:

20 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Subcategoría:

Transistores

Tags

BLV10, BLV1, BLV